9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR120TRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR120TRLPBF价格参考1.66000美元。Vishay Siliconix IRFR120TRLPBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK。您可以下载IRFR120TRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR120PBF是MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp，包括管封装，它们设计为以0.050717 oz单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为7.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为270mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为6.8ns，沟道模式为增强。
IRFR120TF，带有FAI制造的用户指南。IRFR120TF采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
IRFR120TR是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK。IRFR120TRTO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 7.7A-DPAK，N沟道100V 7.7V（Tc）2.5W（Ta），42W（Tc）表面安装D-Pak。
IRFR120TRL是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK。IRFR120TR可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 7.7A-DPAK、N沟道100V 7.7V（Tc）2.5W（Ta）、42W（Tc）表面安装D-Pak。
