9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3437DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3437DV-T1-GE3参考价格为0.97000美元。Vishay Siliconix SI3437DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP。您可以下载SI3437DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si3437DV-T1-GE3是MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于Si3437DV-GE3的零件别名，该SI3437DVD-GE3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为3.2W，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为150V，输入电容Cis-Vds为510pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.4A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为750mOhm@1.4A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为19nC@10V，Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12 ns 14 ns，上升时间为11 ns 29 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-150 V，Rds漏极源极电阻为750 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为28 ns 23 ns，并且典型的开启延迟时间是9ns 14ns，并且信道模式是增强。
SI3437DV-T1-E3是MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-150 V，提供单位重量功能，如0.000705 oz，典型开启延迟时间设计为9 ns 14 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的6-TSOP，系列为TrenchFETR，上升时间为11 ns 29 ns，Rds On Max Id Vgs为750 mOhm@1.4A，10V，Rds On Drain Source Resistance为750 mOhm，Power Max为3.2W，Pd功耗为2 W，部件别名为SI3437DV-E3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为SOT-23-6薄型TSOT-23-6，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为510pF@50V，Id连续漏极电流为1.1 A，栅极电荷Qg Vgs为19nC@10V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为12 ns 14 ns，漏极到源极电压Vdss为150V，电流连续漏极Id 25°C为1.4A（Tc），配置为单一，信道模式是增强。
SI3435DV-T1-E3是MOSFET 12V 4.8A 2W，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了45 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如4.8 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TSOP-6封装盒提供，该器件具有一卷封装，部件别名为SI3435DV-T1，Pd功耗为1.1W，漏极电阻Rds为73mOhm，上升时间为45ns，技术为Si，商品名为TrenchFET，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为18ns，单位重量为0.000705oz，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Vgs栅极-源极电压为8V。
Si3435DV-T1-GE3是MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm@4.5V，包括TSOP-6封装盒，它们设计用于SMD/SMT安装方式，配置如数据表说明所示，用于单芯片，提供部件别名功能，如Si3435DV-GE3，技术设计用于Si，以及卷筒包装，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，Vgs栅极-源极电压为8 V，器件的漏极-源极电阻为73 mOhms Rds，器件的Id连续漏极电流为4.8 a，Pd功耗为1.1 W，晶体管类型为1 P沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.000705 oz，最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，Vds漏极-源极击穿电压为-12V。
