9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS427EDN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS427EDN-T1-GE3参考价格为0.74000美元。Vishay Siliconix SIS427EDN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8。您可以下载SIS427EDN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SiS427EDN-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供TrenchFET等商标功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1930pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为50A（Tc），最大Id Vgs的Rds为10.6 mOhm@11A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为66nC@10V，Pd功耗为52W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为40ns，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为-50A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Vgs第th栅极-源阈值电压为-2.5V，Rds漏极电阻为17.7mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为45ns，Qg栅极电荷为43.5nC，正向跨导Min为32S。
SIS424DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于15 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如20 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为SISxxxDN，器件的上升时间为13 ns，器件的漏极-源极电阻为7.1 mOhms，Pd功耗为3.7 W，零件别名为SIS424DN-GE3，包装为卷轴，封装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为35 A，正向跨导最小值为39 S，下降时间为10 ns，配置为单四漏三源，信道模式为增强型。
SIS422-24VDC，电路图由ELESTA制造。是IC芯片的一部分。
SiS426DN-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8。SiS426DN-T1-GE3在PowerPAK®1212-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8、N沟道20V 35A（Tc）3.7W（Ta）、52W（Tc）表面安装PowerPAK？1212-8，Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8引脚PowerPAK T/R。
