9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR474DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR474DP-T1-GE3价格参考值0.99000美元。Vishay Siliconix SIR474DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8。您可以下载SIR474DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR472DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR472DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为3.9 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为12.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为16 ns，正向跨导最小值为52S，沟道模式为增强。
SIR474DP是SI制造的MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8。SIR474DP以PowerPAK®SO-8封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 20APPAK SO-8。
SIR474DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SIR474DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
