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MCH6353-TL-W

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.47659 3.47659
10+ 2.98407 29.84075
100+ 2.22646 222.64670
3000+ 1.39172 4175.16900
  • 库存: 498
  • 单价: ¥2.89716
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.48
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 12伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
  • 包装/外壳 6-SMD, Flat Leads
  • 最大功耗 1.4W(Ta)
  • 供应商设备包装 6-MCPH
  • 导通电阻 Rds(ON) 35毫欧姆 @ 3A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1250 pF@6 V
  • 色彩/颜色 -

MCH6353-TL-W 产品详情

1.超低导通电阻
2.1.5V驱动3。无卤合规性
4.内置G-S保护二极管引脚:
MCH6353-TL-W所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MCH6353-TL-W 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MCH6353-TL-W价格参考¥2.897160,你可以下载 MCH6353-TL-W中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MCH6353-TL-W规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

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