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FDN337N

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 富芯森美 (FUXINSEMI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.82206 0.82206
100+ 0.79961 79.96160
1000+ 0.77716 777.16300
  • 库存: 3061
  • 单价: ¥0.82207
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.82
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规格参数

  • 制造厂商 富芯森美 (FUXINSEMI)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 最大功耗 500mW (Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.2A(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 2.2A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 300 pF @ 10 V

FDN337N 产品详情

增强型N沟道MOSFET,Fairchild半导体

增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。

特色

  • 2.2安培,30伏特 RDS(开)=0.065Ω@VGS=4.5 V RDS(开)=0.082Ω@VGS=2.5 V。
  • 使用专有SuperSOT的行业标准SOT-23表面安装封装™-3设计,具有卓越的热和电气性能。
  • 用于极低RDS(ON)的高密度电池设计。
  • 出色的导通电阻和最大直流电流能力。

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDN337N所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDN337N 由 富芯森美 (FUXINSEMI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDN337N价格参考¥0.822069,你可以下载 FDN337N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDN337N规格参数、现货库存、封装信息等信息!

富芯森美 (FUXINSEMI)

富芯森美 (FUXINSEMI)

FuxinSemi(富芯森美)是一家集研发、生产、销售于一体的高新技术企业,拥有业内顶尖的研发能力和先进的芯片生产、封装测试全自动化生产线。公司通过ISO、IATF 16949质量管理体系认证,产品通过...

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