增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- 2.2安培,30伏特 RDS(开)=0.065Ω@VGS=4.5 V RDS(开)=0.082Ω@VGS=2.5 V。
- 使用专有SuperSOT的行业标准SOT-23表面安装封装™-3设计,具有卓越的热和电气性能。
- 用于极低RDS(ON)的高密度电池设计。
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力。
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。