FDN5630

Name: FDN5630
Brand: 广东友台半导体 (UMW)
SKU: 7133669-FDN5630
Price: 0.498913 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta）最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 广东友台半导体 (UMW)
交期:2-3 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

数量	单价	合计
100+	1.51113	151.11300
1000+	1.45301	1453.01300
3000+	1.39711	4191.35700
10000+	1.34339	13433.91000
50000+	1.12624	56312.10000

库存: 18385
单价: ¥0.49891
数量:
- +
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规格参数

高度（英寸） -
长（英寸） -
宽（英寸） -
制造厂商广东友台半导体 (UMW)
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
漏源电流 (Id) @ 温度 1.7A（Ta）
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备包装 SOT-23-3
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
最大功耗 500mW (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@1.7A，10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 400 pF @ 15 V
色彩/颜色 -

FDN5630 产品详情

该N沟道MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器来提高DC/DC转换器的整体效率。该MOSFET具有非常低的RDS（ON），SOT23占地面积小。Fairchild的PowerTrench技术提供了比具有类似RDS（ON）规格的其他MOSFET更快的开关。其结果是以更少的板空间获得更高的整体效率。

特色

1.7安培，60伏
RDS（开）=0.100Ω@VGS=10 V
RDS（开）=0.120Ω@VGS=6 V
优化用于高频DC/DC转换器。
低栅极电荷。
切换速度非常快。
超级SOT™ - 3在SOT23封装中提供低rDS（ON）

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。
DC/DC转换器
电机驱动器

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型号	制造商	描述	价格
FDN-010	化学电子 (Chemtronics)	S/S .010" NEEDLE, 10/PK	¥1,616.99191
FDN-020	化学电子 (Chemtronics)	S/S .020" NEEDLE, 10/PK	¥1,932.89824
FDN360P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.4171
FDN337N(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.33541
FDN308P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.54865
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FDN336P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.43435

FDN5630所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDN5630 由广东友台半导体 (UMW) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDN5630价格参考￥0.498913，你可以下载 FDN5630中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDN5630规格参数、现货库存、封装信息等信息！