9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的TP0610K-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TP0610K-T1-GE3参考价格为0.52000美元。Vishay Siliconix TP0610K-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3。您可以下载TP0610K-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TP0610K-T1-E3是MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。TP0610K-GE3中使用的数据表注释中显示了零件别名，提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为350mW，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为23pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为185mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为6 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为1.7nC@15V，Pd功耗为350 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-185 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为10欧姆，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强型。
TP0610KL-TR1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3。TP0610KL-TR1-E3在TO-92封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3、P沟道60V 270MA（Ta）800mW（Ta）通孔TO-226AA、Trans-MOSFET P-CH Si 60V 0.27A 3-Pin TO-226AA-T/R。
TP0610K-T1是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23。TP0610K-T1采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23、P沟道60V 185MA（Ta）350mW（Ta）表面安装SOT-23-2（TO-236）、Trans MOSFET P-CH60V 0.185A 3引脚SOT-23 T/R。
