9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ4425EY-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ4425EY-T1_GE3参考价格$2.2000。Vishay Siliconix SQ4425EY-T1_GE3封装/规格：MOSFET P沟道30V 18A 8SOIC。您可以下载SQ4425EY-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ4401EY-T1-GE3是MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC，包括SQ系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SQ4401EY GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商标，该设备也可以用作SO-8封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有单四漏极三重源配置，晶体管类型为1 P通道，Pd功耗为7.14 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为44 ns，上升时间为76 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-17.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Rds漏极源极导通电阻为11mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为67nS，Qg栅极电荷为74nC。
带有用户指南的SQ4425EY-T1_GE3，包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于P沟道晶体管极性，产品名称显示在数据表注释中，用于提供Si等技术特性的TrenchFET，该系列设计用于SQ系列以及卷筒包装，其最大工作温度范围为+175 C。
SQ4410EY-T1-GE3是由VISHAY/SILICONIX制造的MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC。SQ4410EY-T1-GE3采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC。
