9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR414DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR414DP-T1-GE3参考价格为1.70000美元。Vishay Siliconix SIR414DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8。您可以下载SIR414DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR410DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR410DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为4.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为70S，沟道模式为增强型。
SIR406DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8，包括25 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.017870 oz单位重量运行，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供N沟道等晶体管极性特性，技术设计用于Si，以及SIRxxxDP系列，该器件也可以用作3.8毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为48 W，该器件采用SIR406DP-GE3部件别名，该器件具有一个包装卷，包装箱为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为40 a。
SIR410DP带有SI制造的电路图。SIR410DP以QFN-8封装形式提供，是FET的一部分-单个。
