FDS86267P

规格参数

• 高度（英寸） -
• 长（英寸） -
• 宽（英寸） -
• 制造厂商 安盛美 (onsemi)
• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 场效应管类型 P-通道
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
• 最大功耗 1W（Ta）
• 供应商设备包装 8-SOIC
• 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
• 漏源电流 (Id) @ 温度 2.2A（Ta）
• 漏源电压标 (Vdss) 150伏
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16 nC @ 10 V
• 导通电阻 Rds(ON) 255毫欧姆@2.2A，10V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1130 pF@75 V
• 色彩/颜色 -