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CSD16409Q3是MOSFET N-Ch NexFET功率MOSFET，包括CSD16409Q4系列，它们设计为使用卷轴封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商品名功能，封装盒设计为在VSON-Clip-8以及Si技术中工作，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.6 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为3.4 ns，上升时间为10.6 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为15 a，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6.3ns，典型接通延迟时间为6.5ns，Qg栅极电荷为4nC，正向跨导最小值为38S，沟道模式为增强。
CSD16408Q5C是MOSFET N-CH 25V 113A 8SON，包括1.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于16 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25 V，提供典型的开启延迟时间特性，如11.3 ns，典型的关闭延迟时间设计为11 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD16408Q5C系列，上升时间为25 ns，漏极-源极电阻Rds为6.8 mOhms，Qg栅极电荷为6.7 nC，Pd功耗为3.1 W，封装为卷轴式，封装外壳为VSON-Clip-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为22 A，正向跨导最小值为60 S，下降时间为10.8 ns，配置为单一。
CSD16410，电路图由CICLON制造。CSD16410采用SO-8封装，是FET的一部分-单体。
