9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2323DS-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2323DS-T1-E3参考价格为0.77000美元。Vishay Siliconix SI2323DS-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3。您可以下载SI2323DS-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI2323DS-T1-E3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如SI2323DS-T1-E3库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
SI2323DDS-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23，包括SI2323DDS系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET功率MOSFET，以及SOT-23-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为1.7 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏极电流为-5.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1V，Rds导通漏极-漏极电阻为39mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为52ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为13.6nC，并且前向跨导Min为18S，并且信道模式为增强。
SI2323DS和SipuSemi制造的用户指南。SI2323DS采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
SI2323DS N5，带有VISHAY制造的电路图。SI2323DS N5采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
