9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的SCT3080ALGC11，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SCT3080ALGC11参考价格为10.86000美元。Rohm Semiconductor SCT3080ALGC11封装/规格：SICFET N-CH 650V 30A TO247N。您可以下载SCT3080ALGC11英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SCT2450KEC是MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247，包括SCT2450KE系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，封装外壳设计用于TO-247-3，以及SiC技术，其工作温度范围为175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为85W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为1200V（1.2kV），输入电容Cis-Vds为463pF@800V，FET特性为碳化硅（SiC），25°C时的电流连续漏极Id为10A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为585 mOhm@3A，18V，Vgs最大Id为4V@900μA，栅极电荷Qg Vgs为27nC@18V，Pd功耗为85 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为34 ns，上升时间为17ns，Vgs栅极-源极电压为-6V至+22V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.6V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型导通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为27nC，正向跨导Min为1S。
SCT2H12NZGC11是MOSFET 1700V 3.7A N型MOSFET碳化硅SiC，包括1.6V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在-6V至+22V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1.7kV，提供典型的开启延迟时间特性，如16ns，典型的关断延迟时间设计为35ns，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作SiC技术。此外，上升时间为21ns，器件的漏极-源极电阻为1.5欧姆Rds，器件具有14nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为35W，封装为管，封装外壳为TO-3PFM，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为3.7A，正向跨导最小值为0.4S，下降时间为74ns，配置为单一，信道模式为增强。
SCT250-250是铜T形拼接长筒，包括非绝缘绝缘，设计用于3个电线入口，包装如数据表注释所示，用于散装，提供了系列功能，如Pan Lug R，端子类型设计用于T形接头、抽头和压接终端，该设备也可用作250 MCM（kcmil）线规。
