SSM6J511NU,LF

规格参数

• 长（英寸） -
• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
• 场效应管类型 P-通道
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
• 漏源电压标 (Vdss) 12伏
• 制造厂商 东芝 (Toshiba)
• 供应商设备包装 6-UDFNB (2x2)
• 包装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
• 漏源电流 (Id) @ 温度 14A（Ta）
• 最大栅源极电压 (Vgs) -
• 最大功耗 -
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 47 nC @ 4.5 V
• 导通电阻 Rds(ON) 9.1毫欧姆 @ 4A, 8V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3350 pF @ 6 V
• 色彩/颜色 -