9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2323DS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2323DS-T1-GE3参考价格为0.77000美元。Vishay Siliconix SI2323DS-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3。您可以下载SI2323DS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2323DS-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2323DS-M3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该装置也可用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为750mW，晶体管类型为1 P通道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1020pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.7A（Ta），最大Id Vgs的Rds为39 mOhm@4.7A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为19nC@4.5V，Pd功耗为750 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为43纳秒，上升时间为43 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为3.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds导通漏极-漏极电阻为39毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为71纳秒，典型的开启延迟时间为25ns，信道模式为增强。
SI2323DS N5，带有VISHAY制造的用户指南。SI2323DS N5采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
SI2323DS-T1-E3/D3，电路图由30000VISHAY制造。SI2323DS-T1-E3/D3采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
