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CSD87334Q3D

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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 技术 -
  • 场效应管类型 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 供应商设备包装 -
  • 包装/外壳 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 色彩/颜色 -

CSD87334Q3D 产品详情

CSD87334Q3DT NexFET功率块是针对同步降压和升压应用的优化设计,在3.3 mm×3.3 mm的小外形中提供高电流、高效率和高频能力。该产品针对5V门驱动应用进行了优化,当与外部控制器或驱动器配对时,可为高占空比应用提供灵活的解决方案。

特色

  • 半桥电源块
  • 针对高占空比进行了优化
  • 高达24 Vin
  • 12 A时96.1%的系统效率
  • 12 A时的1.6-W P损耗
  • 高达20-A操作
  • 高频操作(最高1.5 MHz)
  • 高密度SON 3.3 mm×3.3 mm占地面积
  • 针对5V栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 超低电感封装
  • 符合RoHS
  • 无卤素
  • 无铅端子电镀


CSD87334Q3D所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CSD87334Q3D 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD87334Q3D价格参考¥5.142459,你可以下载 CSD87334Q3D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD87334Q3D规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

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