CSD87334Q3DT NexFET功率块是针对同步降压和升压应用的优化设计,在3.3 mm×3.3 mm的小外形中提供高电流、高效率和高频能力。该产品针对5V门驱动应用进行了优化,当与外部控制器或驱动器配对时,可为高占空比应用提供灵活的解决方案。
特色
- 半桥电源块
- 针对高占空比进行了优化
- 高达24 Vin
- 12 A时96.1%的系统效率
- 12 A时的1.6-W P损耗
- 高达20-A操作
- 高频操作(最高1.5 MHz)
- 高密度SON 3.3 mm×3.3 mm占地面积
- 针对5V栅极驱动进行了优化
- 低开关损耗
- 超低电感封装
- 符合RoHS
- 无卤素
- 无铅端子电镀