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FDC637BNZ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.76630 3.76630
10+ 3.07823 30.78233
100+ 2.09537 209.53710
500+ 1.57170 785.85450
1000+ 1.17885 1178.85400
3000+ 1.08056 3241.70400
6000+ 1.04189 6251.34600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.76631
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.77
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.2A (Ta)
  • 最大功耗 1.6W(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
  • 供应商设备包装 SuperSOT-6.
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@6.2A,4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 895 pF @ 10 V
  • 色彩/颜色 黑色

FDC637BNZ 产品详情

该N沟道2.5V专用MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持低栅极电荷,以实现卓越的开关性能。与更大的SO-8和TSSOP-8封装相比,这些器件的设计可在非常小的占地面积内提供卓越的功耗。

特色

  • VGS=4.5V,ID=6.2A时,最大rDS(开)=24mΩ
  • VGS=2.5V,ID=5.2A时,最大rDS(开)=32mΩ
  • 快速切换速度
  • 低栅极电荷(典型值为8nC)
  • 用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
  • 超级SOT™¨C6封装:占地面积小(比标准SO-8小72%;薄型(1mm厚)
  • HBM ESD保护等级>2kV(典型值)(注3)
  • 使用绿色包装材料制造
  • 无卤化物
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDC637BNZ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDC637BNZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDC637BNZ价格参考¥3.766308,你可以下载 FDC637BNZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDC637BNZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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