特色
- RDS(开启)=10 mΩ@VGS=10V@ID=11.6A
- RDS(ON)=12mΩ@VGS=4.5V@ID=10.7A
- 用于极低rDS(ON)的高性能沟槽技术
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 5.28731 | 5.28731 |
10+ | 4.65718 | 46.57185 |
100+ | 3.57002 | 357.00250 |
500+ | 2.82197 | 1410.98950 |
1000+ | 2.25761 | 2257.61200 |
2500+ | 2.24472 | 5611.80000 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...