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FDS8880

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.6A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.28731 5.28731
10+ 4.65718 46.57185
100+ 3.57002 357.00250
500+ 2.82197 1410.98950
1000+ 2.25761 2257.61200
2500+ 2.24472 5611.80000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥5.28732
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.29
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 最大功耗 2.5W(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 11.6A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 10欧姆@11.6A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1235 pF@15 V
  • 色彩/颜色 -

FDS8880 产品详情

该N沟道MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器来提高DC/DC转换器的整体效率。它已针对低栅极电荷、低rDS(ON)和快速开关速度进行了优化。

特色

  • RDS(开启)=10 mΩ@VGS=10V@ID=11.6A
  • RDS(ON)=12mΩ@VGS=4.5V@ID=10.7A
  • 用于极低rDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 低栅极电荷
  • 高功率和电流处理能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDS8880所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDS8880 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS8880价格参考¥5.287317,你可以下载 FDS8880中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS8880规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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