9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4425BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4425BDY-T1-GE3参考价格$2.04000。Vishay Siliconix SI4425BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO。您可以下载SI4425BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4425BDY-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表中显示了SI4425BDY-T1中使用的零件别名，该SI4425DDY-T1提供单位重量功能，例如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为1通道，供应商设备包为8-SO，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.5W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为8.8A（Ta），最大Id Vgs的Rds为12 mOhm@11.4A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为100nC@10V，Pd功耗为1.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为13纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为8.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-电源电阻为12 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为100 ns，典型接通延迟时间为15 ns，沟道模式为增强型。
SI4425BDY是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8引脚SOIC N。SI4425BDY在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8引脚SOIC N。
SI4425BDY-T1，带有KEXIN制造的电路图。SI4425BDY-T1在SOP08封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI4425BDY-T1-E3.采用VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4425BDY-T1-E3。见SOP-8。封装，是IC芯片的一部分。
