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R6003KND3TL1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 44W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.38535 12.38535
10+ 11.04542 110.45423
100+ 8.60891 860.89110
500+ 7.11165 3555.82950
1000+ 5.61447 5614.47900
2500+ 5.24016 13100.41500
5000+ 5.10407 25520.36000
  • 库存: 2388
  • 单价: ¥12.38536
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.39
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 供应商设备包装 TO-252
  • 最大功耗 44W (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.5V @ 1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8 nC @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@1A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 185 pF@25 V
  • 色彩/颜色 -

R6003KND3TL1 产品详情

R6003KND3TL1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),R6003KND3TL1 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。R6003KND3TL1价格参考¥12.385359,你可以下载 R6003KND3TL1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询R6003KND3TL1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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