9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4435DDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4435DDY-T1-GE3参考价格为0.78000美元。Vishay Siliconix SI4435DDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO。您可以下载SI4435DDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4435DDY-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC，包括SI4435DDY系列，它们设计用于卷盘封装，数据表中显示了用于SI4435DDY-E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOIC窄8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为2.5 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns 16 ns，上升时间为8 ns 35 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为8.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-电源电阻为24 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45 ns 40 ns，典型接通延迟时间为10 ns 42 ns，沟道模式为增强。
SI4435DDY-T1-E3 SOP8和VISHAY制造的用户指南。SI4435DDY-T1-E3 SOP8采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
SI4435DDY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4435DDY-T1-E3。见SOP-8。封装，是IC芯片的一部分。
