9icnet为您提供由东芝半导体和存储公司设计和生产的TPCC8008（TE12L，QM），该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TPCC8008（TE12L，QM）参考价格1.03000美元。东芝半导体和存储TPCC8008（TE12L，QM）封装/规格：MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON。您可以下载TPCC8008（TE12L，QM）英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TPCC8007（TE12LQ）是MOSFET N-Ch 20V FET 27A 30W 1879pF 26nC，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装情况如数据表注释所示，用于TSON-8，提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及1 N信道晶体管类型，该器件也可以用作30W Pd功率耗散。此外，Id连续漏极电流为27 A，器件提供20 V Vds漏极-源极击穿电压，器件具有8.7 mOhms的漏极-漏极电阻，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为26 nC。
TPCA8A11-HLQ，带有东芝制造的用户指南。TPCA8A11-HLQ采用DFN-8封装，是IC芯片的一部分。
TPCC8001-H，带有东芝制造的电路图。TPCC8001-H在VDFN-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
TPCC8006-H，带有TOSHIBA制造的EDA/CAD模型。TPCC8006-H采用QFN8封装，是FET的一部分-单个。
