9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL12N65M5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL12N65M5参考价格2.86000美元。STMicroelectronics STL12N65M5封装/规格：MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT。您可以下载STL12N65M5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL12N3LLH5是MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT，包括STL12N2LLH5系列，它们设计为采用卷筒封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如POWERFLAT-8，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供50 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为22 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为9 mOhms，并且晶体管极性是N沟道。
STL12N65M2带有用户指南，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道。技术设计用于Si，以及MDmesh M2系列，该器件也可用作卷筒包装。此外，封装外壳为PowerFlat-8，该器件提供1个通道数量的通道，该器件具有安装型SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C。
STL12N60M2（带有ST.制造的电路图）是晶体管-FET、MOSFET-单个的一部分，并支持“MOSFET N沟道600 V、N沟道600V 6.5A（Tc）52W（Tc）表面安装PowerFlat”（5x6）、Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 8引脚Power Flat EP T/R、MOSFET N信道600 V、典型值0.400欧姆、PowerFlat 5x6 HV封装中的6.5 A MDmesh M2功率MOSFET。
