9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17310Q5A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17310Q5A价格参考1.05000美元。德州仪器CSD17310Q5A封装/规格：MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON。您可以下载CSD17310Q5A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD17308Q3T是MOSFET 30V N沟道NexFET？功率MOSFET 8-VSON-CLIP-55至150，包括CSD17308Q3系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如VSON-CCLIP-8，信道数设计用于1信道，以及单配置，该器件也可以用作1 N信道晶体管类型。此外，Pd功耗为28W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为2.3ns，上升时间为5.7ns，Vgs栅极-源极电压为+10V/-8V，Id连续漏极电流为13A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.3V，Rds导通漏极-源极电阻为8.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9.9ns，典型接通延迟时间为4.5ns，Qg栅极电荷为3.9nC，正向跨导Min为37S，沟道模式为增强。
CSD17309Q3是MOSFET N-CH 30V 60A 8SON，包括1.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于10 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及NexFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CSD17309Q3，器件的上升时间为9.9ns，器件的漏极-源极电阻为6.3mOhms，Qg栅极电荷为7.5nC，Pd功耗为2.8W，封装为卷轴式，封装盒为VSON-Clip-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为20 A，下降时间为3.6 ns，配置为单一。
CSD17310带有TI制造的电路图。CSD17310采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
