9icnet为您提供由东芝半导体和存储公司设计和生产的SSM3J114TU（TE85L），该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SSM3J114TU（TE85L）参考价格为0.44000美元。东芝半导体和存储SSM3J114TU（TE85L）封装/规格：MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM。您可以下载SSM3J114TU（TE85L）英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SSM3J109TU（TE85L）是MOSFET Vds=-20V Id=-2A 3Pin，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，封装情况如数据表注释所示，用于UFM-3，提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单配置，该设备也可以用作1 P通道晶体管类型。此外，Pd功耗为800 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为175 mOhms，晶体管极性为P沟道，并且前向跨导Min为4S/2.4S，信道模式为增强。
SSM3J108TU（TE85L，带有TOSHIBA制造的用户指南。SSM3J108 TU（TE 85L提供3-SMD扁平引线封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM。
SSM3J109TU，带有东芝制造的电路图。SSM3J109TU采用SOT-323封装，是IC芯片的一部分。
SSM3J110TU，带有TOSHIBA制造的EDA/CAD模型。SSM3J110TU采用SOT-323SC70UFM封装，是IC芯片的一部分。
