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NTH4LN019N65S3H

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 625W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 163.61711 163.61711
10+ 150.38433 1503.84333
100+ 127.00787 12700.78730
500+ 123.96223 61981.11700
  • 库存: 415
  • 单价: ¥147.46544
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥163.62
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 供应商设备包装 TO-247-4
  • 包装/外壳 至247-4
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 75A (Tc)
  • 最大功耗 625W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 19.3毫欧姆@37.5A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 14.3毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 282 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15993 pF@400 V
  • 色彩/颜色 -

NTH4LN019N65S3H 产品详情

NTH4LN019N65S3H所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTH4LN019N65S3H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTH4LN019N65S3H价格参考¥147.465444,你可以下载 NTH4LN019N65S3H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTH4LN019N65S3H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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