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BUK7E5R2-100E,127

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 349W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 20.93198 20.93198
10+ 18.82429 188.24297
100+ 15.13259 1513.25910
  • 库存: 301
  • 单价: ¥20.93198
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.93
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 180 nC@10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
  • 包装/外壳 TO-262-3长引线,我巴基斯坦,TO-262AA
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 I2PAK
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.2毫欧姆 @ 25A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 11810 pF@25 V
  • 最大功耗 349W (Tc)

BUK7E5R2-100E,127 产品详情

BUK7E5R2-100E,127所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BUK7E5R2-100E,127 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BUK7E5R2-100E,127价格参考¥20.931981,你可以下载 BUK7E5R2-100E,127中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BUK7E5R2-100E,127规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世半导体 (Nexperia)

安世半导体 (Nexperia)

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...

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