RD3H045SPTL1

规格参数

• 宽（英寸） -
• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 场效应管类型 P-通道
• 制造厂商 罗姆 (Rohm)
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
• 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
• 漏源电流 (Id) @ 温度 4.5A (Ta)
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC @ 5 V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
• 漏源电压标 (Vdss) 45伏
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 550 pF @ 10 V
• 供应商设备包装 TO-252
• 最大功耗 15W（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 155毫欧姆@4.5A，10V