9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2369DS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2369DS-T1-GE3参考价格为0.44000美元。Vishay Siliconix SI2369DS-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236。您可以下载SI2369DS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si2367DS-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si2367DS-GE3的零件别名，该Si2367DS GE3提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.7W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为561pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.8A（Tc），最大Id Vgs的Rds为66mOhm@2.5A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为23nC@8V，Pd功耗为1.7W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为9 ns，上升时间为9纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为3.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs第h栅极-源极端电压为-0.4 V，Rds导通漏极-源极电阻为66mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为15nC，沟道模式为增强。
Si2369DS-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于30 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供晶体管类型功能，如1个P通道，晶体管极性设计用于P通道，以及TrenchFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为TO-236，该设备为TrenchFETR系列，该设备具有29 mOhm@5.4A、10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为29 mOhms，最大功率为2.5W，包装为Digi-ReelR交替包装，包壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为1295pF@15V，Id连续漏极电流为-7.6 A，栅极电荷Qg Vgs为36nC@10V，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为7.6A（Tc）。
SI2367DS，带有VISHAY制造的电路图。SI2367DS采用SOT23-3封装，是FET的一部分-单个。
SI2367DS-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI2367DS-T1-E3采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
