9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STU80N4F6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STU80N4F6价格参考1.74000美元。STMicroelectronics STU80N4F6封装/规格：MOSFET N-CH 40V 80A TO251。您可以下载STU80N4F6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STU7NM60N是MOSFET N-CH 600V 5A IPAK，包括MDmesh？II系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-251-3短引线、IPak、to-251AA以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的I-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为45W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为363pF@50V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为900 mOhm@2.5A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为14nC@10V，Pd功耗为45 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为10ns，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为900m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为14nC，信道模式是增强。
STU7NF25是MOSFET N-CH 250V IPAK，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于250 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为13 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道STripFET串联，上升时间为10ns，Rds漏极-源极电阻为290mOhm，Qg栅极电荷为16nC，Pd功耗为72W，封装为管，封装外壳为IPAK-3，通道数为1沟道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为8 A，下降时间为6 ns，配置为单一。
STU7NB90I带有ST制造的电路图。STU7NB90 I采用MAX-220封装，是IC芯片的一部分。
STU7NM60N-1，带有ST制造的EDA/CAD模型。STU7NM60-N-1采用TO-251封装，是IC芯片的一部分。
