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RS1E281BNTB1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Ta)、80A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-HSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.74750 12.74750
10+ 11.44378 114.43782
100+ 9.19775 919.77590
500+ 7.55695 3778.47600
1000+ 6.26141 6261.41500
2500+ 5.88847 14721.19500
  • 库存: 2443
  • 单价: ¥12.74750
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.75
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 供应商设备包装 8-HSOP
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 94 nC @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.3毫欧姆@28A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5100 pF @ 15 V
  • 最大功耗 3W (Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 28A(Ta)、80A(Tc)
  • 色彩/颜色 -

RS1E281BNTB1 产品详情

RS1E280BN是用于开关应用的MOSFET,具有低导通电阻。

特色

  • 导通电阻低。
  • 高功率小型模具封装(HSOP8)。
  • 无铅铅镀层;符合RoHS
  • 无卤素


RS1E281BNTB1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RS1E281BNTB1 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RS1E281BNTB1价格参考¥12.747504,你可以下载 RS1E281BNTB1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RS1E281BNTB1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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