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SI8800EDB-T2-E1是MOSFET N-CH 20V MICROFOOT，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如4-XFBGA、CSPBGA，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该器件采用4微脚供应商器件封装，该器件具有双重配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为2 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，Rds On Max Id Vgs为80mOhm@1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.3nC@8V，Pd功耗为900mW，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为2.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，漏极-源极电阻Rds为95mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为5.5nC，正向跨导Min为10S。
SI87XXSOIC8-KIT是KIT EVAL GW 8SOIC SI871X，包括Si87xx实用IC部件，它们设计用于数字隔离器类型，用于评估的工具如数据表注释所示，用于提供SI87XXSOIC8等系列功能的SI87xxSOIC 8，产品设计用于评估套件，以及接口，数字隔离器主要用途。
带有电路图的SI87XXSDIP6-KIT，包括接口、数字隔离器主用途，设计用于SI87XXSDIP6系列，使用的IC部件如数据表注释所示，用于Si87xx。
