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IRF840STRLPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 14.59762 14.59762
10+ 12.94764 129.47640
30+ 11.92822 357.84669
100+ 10.86676 1086.67690
500+ 9.67920 4839.60100
800+ 9.47952 7583.61760
  • 库存: 1523
  • 单价: ¥14.59762
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14.60
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 漏源电压标 (Vdss) 500 V
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 63 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1300 pF@25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 850毫欧姆 @ 4.8A, 10V
  • 最大功耗 3.1W(Ta)、125W(Tc)
  • 色彩/颜色 -

IRF840STRLPBF 产品详情

IRF840STRLPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF840STRLPBF 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF840STRLPBF价格参考¥14.597623,你可以下载 IRF840STRLPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF840STRLPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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