9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR1N60APBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR1N60APBF-BE3价格参考1.62000美元。Vishay Siliconix IRFR1N60APBF-BE3封装/规格：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK。您可以下载IRFR1N60APBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR18N15DTRRP是MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 125mOhms 28nC，包括卷筒封装，它们设计为在0.13932 oz单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供110 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.8 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为18 A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds漏极漏极-漏极电阻为125mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为8.8ns，Qg栅极电荷为28nC，沟道模式为增强。
IRFR18N15TRPBF带有由IR制造的用户指南。IRFR18N25TRPBB以T0-252封装形式提供，是IC芯片的一部分。
IRFR1N60A是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK。IRFR1N 60A采用TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 1.4A DPE、N通道600V 1.4A（Tc）36W（Tc）表面安装D-Pak、Trans-MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin（2+Tab）DPAK。
