SI4114DY-T1-E3

Name: SI4114DY-T1-E3
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7133947-SI4114DY-T1-E3
Price: 12.892362 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc）最大功耗: 2.5W（Ta）、5.7W（Tc）供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
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10+	11.61036	116.10369
100+	9.33320	933.32010
500+	7.66849	3834.24650
1000+	6.57293	6572.93200
2500+	6.57293	16432.33000

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
漏源电压标 (Vdss) 20伏
漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Tc）
供应商设备包装 8-SOIC
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A.
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 95 nC @ 10 V
最大功耗 2.5W（Ta）、5.7W（Tc）
导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 10A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3700 pF @ 10 V
色彩/颜色 -

SI4114DY-T1-E3 产品详情

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SI4114DY-T1-E3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SI4114DY-T1-E3 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI4114DY-T1-E3价格参考￥12.892362，你可以下载 SI4114DY-T1-E3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI4114DY-T1-E3规格参数、现货库存、封装信息等信息！