9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SFT1342-W，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。SFT1342-W价格参考值1.12000美元。onsemi SFT1342-W封装/规格：MOSFET P-CH 60V 12A TP。您可以下载SFT1342-W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SFT1341-TL-E是MOSFET开关器件，包括SFT1341系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供15 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为-10 A，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V，漏极-源极电阻Rds为112mOhms，晶体管极性为P沟道。
SFT1341-E是MOSFET PCH 1.8V DRIVE系列，包括-40 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1个P通道，提供晶体管极性特性，如P通道，技术设计用于Si，以及SFT1341系列，该器件也可以用作112mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1 W，该器件采用散装封装，该器件具有IPAK-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为-10 a。
SFT1341-TL-W带有电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如P通道，晶体管类型设计用于1个P通道。
SFT1341-W具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为与P沟道晶体管极性一起工作，封装如数据表注释所示，用于散装，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，信道数设计为在1个信道中工作。
