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STP150N10F7为MOSFET N-Ch 100V 0.0036欧姆典型值。110A，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该器件也可用作1沟道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有250W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为57 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为110 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为33ns，Qg栅极电荷为117nC。
STP14NM50N是MOSFET N-CH 500V 12A TO-220，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在2 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，具有0.011640 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为15 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的N沟道MDmesh，上升时间为9ns，Rds漏极-源极电阻为280mOhms，Qg栅极电荷为42nC，Pd功耗为90W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为2沟道，安装类型为通孔，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为12 A，下降时间为32 ns，配置为双漏极。
STP14NK60ZFP是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-220FP。STP14NK60ZFP提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH600V 13.5A TO-220FP、N通道600V 13.5A（Tc）40W（Tc。
STP14NM65N是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 12A TO-220。STP14MM65N采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH650V 12A-TO-220、N沟道650V 12A-125W（Tc）通孔TO-220AB。
