9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR410DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR410DP-T1-GE3参考价格为1.13000美元。Vishay Siliconix SIR410DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8。您可以下载SIR410DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR406DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR406DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有48W的Pd功耗，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Rds漏极源极电阻为3.8mOhm，晶体管极性为N信道。
SIR406DP-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SIR406DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SIR410DP带有SI制造的电路图。SIR410DP以QFN-8封装形式提供，是FET的一部分-单个。
