9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB3N62K3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB3N62K3参考价格$1.80000。STMicroelectronics STB3N62K3封装/规格：MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK。您可以下载STB3N62K3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB36NM60ND是MOSFET自动级N-CH 600V 29A FDmesh II 0.097，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有190 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为61.8 ns，上升时间为53.4 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为29 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为110mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为111ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为80.4nC。
带有用户指南的STB37N60DM2AG，包括第4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.13932盎司，典型开启延迟时间设计为21.2纳秒，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为17ns，器件的漏极-源极电阻为110mOhm，Qg栅极电荷为54nC，Pd功耗为210W，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为28A，下降时间为10.7ns，通道模式为增强型。
STB38N65M5是MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK，包括19 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表说明中显示了to-252-3中使用的封装盒，该封装盒提供了卷盘、Pd功耗等封装功能，设计为工作在190 W，以及95 mOhms Rds漏极源极电阻，该设备也可以用作MDmesh M5系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有0.13932盎司的单位重量，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
