9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBC20STRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBC20STRLPBF价格参考3.05000美元。Vishay Siliconix IRFBC20STRLPBF封装/规格：MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK。您可以下载IRFBC20STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFBC20PBF是MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供50 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IRFBC20LPBF是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262。IRFBC20LP BF可提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH600V 2.2A TO-262、N通道600V 2.2A（Tc）3.1W（Ta）、50W（Tc。
IRFBC20S是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK。IRFBC20S可提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 2.2A D2PAK，N通道600V 2.2A（Tc）3.1W（Ta），50W（Tc。
IRFBC20STRL是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK。IRFBC20STRL可提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 2.2A D2PAK，N通道600V 2.2A（Tc）3.1W（Ta），50W（Tc，表面安装D2PAK）。
