FDN5618P

Name: FDN5618P
Brand: 台舟 (TECH PUBLIC)
SKU: 7134018-FDN5618P
Price: 0.912852 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.25A（Ta）最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
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10+	0.73629	7.36291
30+	0.66062	19.81875
100+	0.55069	55.06920
600+	0.50865	305.19240
1200+	0.48343	580.12200

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规格参数

长（英寸） -
制造厂商台舟 (TECH PUBLIC)
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
场效应管类型 P-通道
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备包装 SOT-23-3
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
最大功耗 500mW (Ta)
漏源电流 (Id) @ 温度 1.25A（Ta）
导通电阻 Rds(ON) 170毫欧姆@1.25A，10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13.8 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 430 pF @ 30 V

FDN5618P 产品详情

PowerTrench®P沟道MOSFET，Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷（Qg）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术，这些设备的FOM（品质因数）显著低于前几代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

–1.25安培，–60伏
RDS（开）=0.200Ω@VGS=–10 V
RDS（开）=0.230Ω@VGS=–4.5 V
快速切换速度
用于极低rDS的高性能沟槽技术（上）

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。

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型号	制造商	描述	价格
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FDN-020	化学电子 (Chemtronics)	S/S .020" NEEDLE, 10/PK	¥1,932.89824
FDN360P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.4171
FDN337N(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.33541
FDN308P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.54865
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FDN336P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.43435

FDN5618P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDN5618P 由台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDN5618P价格参考￥0.912852，你可以下载 FDN5618P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDN5618P规格参数、现货库存、封装信息等信息！