9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SISH106DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SISH106DN-T1-GE3参考价格为1.8万美元。Vishay Siliconix SISH106DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK。您可以下载SISH106DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4124DY-T1-E3是MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4124DY-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOIC-Norrow-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为13.6 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极源极导通电阻为7.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为30ns，沟道模式为增强型。
SI4123M-EVB是SI4123的电路板评估，包括0.001764盎司的单位重量，它们设计用于合成器类型，提供的内容显示在数据表注释中，用于提供SI4123等系列功能的电路板，用于相关产品，设计用于SI4123。
SI4124DY，带有VISHAY制造的电路图。SI4124DY在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI4124DY-T1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4124DY-T1采用SO-8封装，是FET的一部分-单个。
