特色
- 导通电阻低。
- 高功率小型模具封装（VML1006）。
- 无铅铅镀层；符合RoHS。
- 无卤素。
- ESD保护敢达200V（MM）。高达2kV（HBM）。
RV2C010UNT2L
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: VML1006 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.95751 | 0.95751 |
- 库存: 1071
- 单价: ¥0.95751
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.96
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1A（Ta）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.2伏、4.5伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 40 pF @ 10 V
- 包装/外壳 SC-101，SOT-883
- 最大功耗 400mW (Ta)
- 供应商设备包装 VML1006
- 导通电阻 Rds(ON) 470毫欧姆 @ 500毫安, 4.5V
- 色彩/颜色 黑色
RV2C010UNT2L 产品详情
N沟道MOSFET晶体管
RV2C010UNT2L 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RV2-50V010MB55U-R | 日本埃尔纳公司 (Elna) | CAP ALUM 50V 10UF 20% 5MM | ¥0.54242 |
| RV2-35V220MU-R | 日本埃尔纳公司 (Elna) | CAP 22UF 35V SMD | ¥0.74479 |
 | RV2-4916 | 特鲁米特 (Trumeter) | 120VAC, COMBO MNT, NON-RESET | ¥1,163.4103 |
 | RV2-4916E | 特鲁米特 (Trumeter) | RV2-4916 W/16" LEAD WIRES | ¥219.89444 |
| RV2M4UH | 德力西 (DELIXI) | 暂无 | ¥30.77166 |
| RV2M5RH | 德力西 (DELIXI) | 暂无 | ¥37.03529 |
| RV24YN 20S B103 | 博晨 (BOCHEN) | 阻值：10kΩ | ¥11.80211 |
 | RV24YN20S-B103 | 阻值：10kΩ 精度：±10% 功率：250mW | ¥31.72802 | |
 | RV24YN 20S B202 | 博晨 (BOCHEN) | 阻值：2kΩ | ¥11.81262 |
 | RV24YN 20S B502 | 博晨 (BOCHEN) | 阻值：5kΩ | ¥12.21198 |
RV2C010UNT2L所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RV2C010UNT2L 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RV2C010UNT2L价格参考￥0.957511，你可以下载 RV2C010UNT2L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RV2C010UNT2L规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
