久芯网

IRLML2502TRPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: Micro3/SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
3000+ 0.17587 527.63700
  • 库存: 180000
  • 单价: ¥1.38284
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.38
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 台舟 (TECH PUBLIC)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 最大功耗 1.25W(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC @ 5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.2A (Ta)
  • 供应商设备包装 Micro3/SOT-23
  • 导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 4.2A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 740 pF @ 15 V
  • 色彩/颜色 -

IRLML2502TRPBF 产品详情

N沟道功率MOSFET 12V至25V,英飞凌

英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的N沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

  • 符合RoHS
  • 行业领先的质量
  • 快速切换
  • 薄型(小于1.1mm)
  • SOT-23占地面积

应用

  • 直流开关
  • 负载开关
IRLML2502TRPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRLML2502TRPBF 由 台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRLML2502TRPBF价格参考¥1.382836,你可以下载 IRLML2502TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRLML2502TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

台舟 (TECH PUBLIC)

台舟 (TECH PUBLIC)

台舟电子股份有限公司是2009年建立,公司的精英设计团队均来自于国内外知名企业,团队主管曾任职于美国硅谷著名IC设计龙头公司,担任技术高层岗位超过15年,核心成员均有10年以上设计经验。 台...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部