9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8817DB-T2-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8817DB-T2-E1参考价格为0.49000美元。Vishay Siliconix SI8817DB-T2-E1封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT。您可以下载SI8817DB-T2-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI8808DB-T2-E1是MOSFET N-CH 30V MICROFOOT，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供Micro-Foot等商标特征，封装盒设计为在4-UFBGA中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有4微英尺的供应商器件封装，配置为单个，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为330pF@15V，FET特性为标准，最大Id Vgs的Rds为95 mOhm@1A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10nC@8V，Pd功耗为900 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为0.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为95mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为3.7nC，正向跨导Min为10S。
SI8800EDB-T2-E1是MOSFET N-CH 20V MICROFOOT，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供晶体管类型功能，如2 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该设备也可以用作4-Microfoot供应商设备包。此外，该系列是TrenchFETR，该器件提供80 mOhm@1A、4.5V Rds On Max Id Vgs，该器件具有95 mOhm Rds On Drain Source电阻，Qg栅极电荷为5.5 nC，最大功率为500mW，Pd功耗为900 mW，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为4-XFBGA、CSPBGA、，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+125°C，Id连续漏极电流为2.8 A，栅极电荷Qg Vgs为8.3nC@8V，并且正向跨导Min为10S，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，并且配置为双重。
SI8802DB-T2-E1是MOSFET N-CH 8V MICROFOOT，包括单一配置，它们设计为在8V漏极到源极电压Vdss下工作，FET特性如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、正向跨导最小值设计为在13S下工作，以及6.5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，该器件也可以用作3.5A Id连续漏电流。此外，安装类型为表面安装，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有1个通道数，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装盒为4-XFBGA，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为900mW，最大功率为500mW，Qg栅极电荷为4.3nC，Rds漏极-源极电阻为44mOhm，Rds最大Id Vgs为54mOhm@1A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为4微脚，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极源极击穿电压为8V，Vgs栅极-源极电压为5V，Vgs最大Id为700mV@250μA。
SI87XXSOIC8-KIT是KIT EVAL GW 8SOIC SI871X，包括用于评估的SI87XXSOIC8工具。它们设计用于Si87xxSOC8系列，数据表中显示了用于Si87xx的实用IC部件，该Si87xx提供主要功能，如接口、数字隔离器、产品设计用于评估套件以及数字隔离器类型。
