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SI1013R-T1-GE3

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: SC-75A 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.40416 3.40416
10+ 2.89716 28.97160
100+ 2.16417 216.41790
500+ 1.70019 850.09900
1000+ 1.31379 1313.79000
3000+ 1.19790 3593.70900
6000+ 1.15922 6955.35600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.40416
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.40
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 最大功耗 150mW(Ta)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 350毫安 (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 包装/外壳 SC-75,SOT-416
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±6V
  • 供应商设备包装 SC-75A
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.2欧姆@350毫安,4.5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 450mV @ 250A (Min)
  • 色彩/颜色 -

SI1013R-T1-GE3 产品详情

特征

•根据IEC 61249-2-21定义,无卤素

•高压侧开关

•低导通电阻:1.2

•低阈值:0.8 V(典型值)

•快速切换速度:14 ns

•1.8 V操作

•TrenchFET®功率MOSFET

•2000 V ESD保护

•符合RoHS指令2002/95/EC

应用

•驱动器:继电器、电磁阀、灯、电锤、显示器、存储器

•电池操作系统

•电源转换器电路

•负载/电源切换手机、寻呼机

福利

•易于驱动开关

•低偏移(误差)电压

•低压运行

•高速电路

•低电池电压操作


(图片:引线/示意图)

SI1013R-T1-GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SI1013R-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI1013R-T1-GE3价格参考¥3.404163,你可以下载 SI1013R-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI1013R-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

黑森尔 (Vishay Siliconix)

黑森尔 (Vishay Siliconix)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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