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BSC090N03LS G是MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSC090N01LSGATMA1 BSC090N03LSGXT SP000275115的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.4 ns，上升时间为2.6 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为13A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为9mm欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为3.1ns，沟道模式为增强。
BSC090N03LS，带有INFINEON制造的用户指南。BSC090N03LS采用QFN-8封装，是FET的一部分-单个。
BSC090N03LSG，带有INFINEON制造的电路图。BSC090N03LSG在DFN-85X6封装中提供，是FET的一部分-单个。
