9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4636DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4636DY-T1-GE3参考价格为1.17000美元。Vishay Siliconix SI4636DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 17A 8SO。您可以下载SI4636DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4634DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4634DY-GE3零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC-Norrow-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns 8 ns，上升时间为15 ns 10 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为16.3A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为30ns 14ns，沟道模式为增强。
SI4634DY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns 14 ns，典型的关闭延迟时间设计为33 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为15 ns 10 ns，器件的漏极-源极电阻为5.2 mOhms，Pd功耗为2.5 W，零件别名为SI4634DY-E3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为16.3 A，下降时间为10 ns 8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4634DY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4634DY-T1-E3。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI4636DY-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC。SI4636DY-T1-E3采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC、N沟道30V 17C（Tc）2.5W（Ta）、4.4W（Tc）表面安装8-SO。
