9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3459BDV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3459BDV-T1-GE3参考价格为0.87000美元。Vishay Siliconix SI3459BDV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP。您可以下载SI3459BDV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3459BDV-T1-E3是MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP，包括卷轴封装，它们设计用于SI3459BDV-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为13 ns 10 ns，上升时间为60 ns 12 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为2.2A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-电源电阻为216mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为16ns 18ns，典型接通延迟时间为45ns 5ns，沟道模式为增强型。
Si3459BDV，带有Vishay制造的用户指南。Si3459BDV在TSOP-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI3459BDV-T1-E，电路图由GP/VISHAY制造。SI3459BDV-T1-E采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP。
